SYKJ2300_SOT23-3L_N_耐压20V_电流5.2A_VGS±12V
-
SYKJ2300
« Green Device Available
« Super Low Gate Charge
« Excellent Cdv/dt effect decline
« Advanced high cell density Trench technology
The SYKJ2300 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs， which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. The SYKJ2300 meets the RoHS and Green Product requirement with full functionreliability
approved.
SYKJ2300_SOT23-3_EN_V01
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Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
RθJA
Thermal Resistance Junction-ambient 1
---
170
℃/W
RθJC
Thermal Resistance Junction-Case1
---
---
℃/W
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rating
Units
VDS
Drain-Source Voltage
20
V
VGS
Gate-Source Voltage
±12
V
ID@TA=25℃
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V1
5.2
A
ID@TA=70℃
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V1
3.0
A
IDM
Pulsed Drain Current2
16.4
A
PD@TA=25℃
Total Power Dissipation3
1.0
W
TSTG
Storage Temperature Range
-55 to 150
℃
TJ
Operating Junction Temperature Range
-55 to 150
℃
Absolute Maximum Ratings
SOT23 Pin Configuration
Description
BVDSS
RDSON
ID
20V
21mΩ
5.2A
Product Summary
SYKJ2300
Electrical Characteristics (TJ=25℃ unless otherwise specified)
Notes:1. Repetitive Rating: Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
2. Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤0.5%
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Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristic
V(BR)DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS=0V, ID=250μA
20
-
-
V
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS=20V, VGS=0V,
-
-
1.0
μA
IGSS
Gate to Body Leakage Current
VDS=0V, VGS =±12V
-
-
±100
nA
On Characteristics
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS, ID=250μA
0.4
0.7
1
V
RDS(on)
Static Drain-Source on-Resistance
note2
VGS=4.5V, ID=4A
-
21
27
mΩ
VGS=2.5V, ID=3A
-
29
44
Dynamic Characteristics
Ciss
Input Capacitance
VDS=10V, VGS=0V, f=1.0MHz
-
358
-
pF
Coss
Output Capacitance
-
69.3
-
pF
Crss
Reverse Transfer Capacitance
-
58.5
-
pF
Qg
Total Gate Charge
VDS=10V, ID=2A, VGS=4.5V
-
5.6
-
nC
Qgs
Gate-Source Charge
-
0.8
-
nC
Qgd
Gate-Drain(“Miller”) Charge
-
1
-
nC
Switching Characteristics
td(on)
Turn-on Delay Time
VDS=10V,
ID=4A, RGEN=3Ω, VGS=4.5V
-
5
-
ns
tr
Turn-on Rise Time
-
30
-
ns
td(off)
Turn-off Delay Time
-
48
-
ns
tf
Turn-off Fall Time
-
36
-
ns
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
IS
Maximum Continuous Drain to Source Diode Forward Current
-
-
4
A
ISM
Maximum Pulsed Drain to Source Diode Forward Current
-
-
16
A
VSD
Drain to Source Diode Forward Voltage
VGS=0V, IS=4A
-
-
1.2
V
SYKJ2300
Typical Performance Characteristics
Figure 2: Typical Transfer Characteristics
Figure1: Output Characteristics
ID (A)
25
ID (A)
25
20
20
15
15
10
10
5
5
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2.0
2.5
3.0
Figure 3:On-resistance vs. Drain Current
Figure 4: Body Diode Characteristics
IS(A)
1E+01
35 RDS(ON) (mΩ)
1E+00
30
1E-01
25
1E-02
20
1E-03
15
1E-04
10
1E-05
0
1
2
3
4
5
6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Figure 5: Gate Charge Characteristics
VGS(V)
Figure 6: Capacitance Characteristics
C(pF)
5
VDS=10V
ID=2A
103
4
3
2
102
1
Qg(nC)
101
0
0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
30
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Ciss
Coss
Crss
VDS(V)
TJ=125℃
25℃
VSD(V)
VGS=2.5V
VGS=4.5V
ID(A)
125℃
25℃
VGS(V)
2.5V
4.5V
2.0V
VGS=1.5V
VDS(V)
SYKJ2300
Figure 7: Normalized Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
VBR(DSS)
Figure 8: Normalized on Resistance vs. Junction Temperature
RDS(on)
1.3
2.5
1.2
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
0.5
0
-100
-50
0
50
100
150
200
-100
-50
0
50
100
150
200
Figure 10: Maximum Continuous Drain Current vs. Ambient Temperature
ID(A)
Figure 9: Maximum Safe Operating Area
ID(A)
5
102
4
101
100μs
3
1ms
100
2
Limited by RDS(on)
10ms
10-1
100ms
TA=25℃
1
Single pulse
DC
VDS (V)
10-2
0
0.01
0.1
1
10
0
25
50
75
100
125
150
Figure.11: Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
ZthJ-A(℃/W)
103
102
101
D=0.5
D=0.2
t1
D=0.1
t2
100
D=0.05
D=0.02
D=0.01
Notes:
Single pulse
1.Duty factor D=t1/t2
2.Peak TJ=PDM*ZthJC+TA
TP(s)
10-1
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
101
102
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PDM
TA (℃)
Tj (℃)
Tj (℃)
SYKJ2300
Package Mechanical Data-SOT-23-3L
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声明：
双宜科技保留电路及其规格书的更改权，以便为客户提供更优秀的产品，规格若有更改，恕不另行通知。
Ø
双宜科技一直致力于提高产品的质量和可靠性，然而，任何半导体产品在特定条件下都有一定
的失效或发生故障的可能，客户有责任在使用双宜产品进行产品研发时，严格按照对应规格书的要求使用双宜产品，并在进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险造成人身伤害或财产损失等情况。如果因为客户不当使用双宜产品而造成的人身伤害、财产损失等情况，双宜公司不承担任何责任。
Ø
本产品主要应用于消费类电子产品中，如果客户将本产品应用于医疗、军事、航天等要求极高
质量、极高可靠性的领域的产品中，其潜在失败风险所造成的人身伤害、财产损失等情况，双宜科技不承担任何责任。
Ø
本规格书所包含的信息仅作为双宜产品的应用指南，没有任何专利和知识产权的许可暗示，如
果客户侵犯了第三方的专利和知识产权，双宜科技不承担任何责任。
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深圳市双宜科技有限公司是一家专业从事中低压场效应管、模拟集成电路芯片产品的研制、开发和销售的高新技术企业，自公司2012年成立以来,我们拥有了广大的客户群，本公司主要经营中低压场效应管，MCU设计，电源管理IC，LED驱动IC，触摸控制IC等。公司秉承坚持 " 服务第一，品质第一，客户第一 " 的原则为广大客户提供优质的服务。
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