SYKJ4410_SOP8_N_耐压30V_电流18.0A_VGS±20V

• Super Low Gate Charge

• 100% EAS Guaranteed

• Green Device Available

• Excellent CdV/dt effect decline

• Advanced high cell density Trench technology

   

  Product Summary

   

  BVDSS	RDSON	ID
  30V	7.0mΩ	18 A

   

   

  Description SOP8 Pin Configuration

   

  The SYKJ4410 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications.

  The SYKJ4410 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

   

  Absolute Maximum Ratings

   

  Symbol	Parameter	Rating	Units
  VDS	Drain-Source Voltage	30	V
  VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
  ID@TA=25℃	Continuous Drain Current, VGS @ 10V1	1 8	A
  ID@TA=70℃	Continuous Drain Current, VGS @ 10V1	10	A
  IDM	Pulsed Drain Current2	60	A
  EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	40	mJ
  IAS	Avalanche Current	35	A
  PD@TA=25℃	Total Power Dissipation4	5	W
  TSTG	Storage Temperature Range	-55 to 150	℃
  TJ	Operating Junction Temperature Range	-55 to 150	℃

   

  Thermal Data

   

  Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Unit
  RθJA	Thermal Resistance Junction-ambient 1	---	41	℃/W
  RθJC	Thermal Resistance Junction-Case1	---	10	℃/W

  Electrical Characteristics (TJ=25℃ unless otherwise specified)

   

  Symbol	Parameter	Test Condition	Min.	Typ.	Max.	Units
  Off Characteristic
  V(BR)DSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250μA	30	-	-	V
  IDSS	Zero Gate Voltage Drain Current	VDS=30V, VGS=0V,	-	-	1.0	μA
  IGSS	Gate to Body Leakage Current	VDS=0V, VGS=±20V	-	-	±100	nA
  On Characteristics
  VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VDS=VGS, ID=250μA	1.0	1.5	2.5	V
  RDS(on)	Static Drain-Source on-Resistance note3	VGS=10V, ID=15A	-	7.0	9	mΩ
  		VGS=4.5V, ID=10A	-	11	14
  Dynamic Characteristics
  Ciss	Input Capacitance	VDS=15V, VGS=0V, f=1.0MHz	-	1116	-	pF
  Coss	Output Capacitance		-	187	-	pF
  Crss	Reverse Transfer Capacitance		-	152	-	pF
  Qg	Total Gate Charge	VDS=15V, ID=8A, VGS=10V	-	13.3	-	nC
  Qgs	Gate-Source Charge		-	3.1	-	nC
  Qgd	Gate-Drain(“Miller”) Charge		-	5	-	nC
  Switching Characteristics
  td(on)	Turn-on Delay Time	VDS=15V, ID=15A, RGEN=3Ω, VGS=10V	-	15	-	ns
  tr	Turn-on Rise Time		-	19	-	ns
  td(off)	Turn-off Delay Time		-	35	-	ns
  tf	Turn-off Fall Time		-	21	-	ns
  Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
  IS	Maximum Continuous Drain to Source Diode Forward Current		-	-	15	A
  ISM	Maximum Pulsed Drain to Source Diode Forward Current		-	-	60	A
  VSD	Drain to Source Diode Forward Voltage	VGS=0V, IS=15A	-	-	1.2	V
  trr	Body Diode Reverse Recovery Time	IF=15A,dI/dt=100A/μs	-	14	-	ns
  Qrr	Body Diode Reverse Recovery Charge		-	4.1	-	nC

  Notes:1. Repetitive Rating: Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature

  1. EAS condition: TJ=25℃, VGS=15V, RG=25Ω, L=0.5mH, IAS=12.6A

  2. Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤0.5%

.

声明：

双宜科技保留电路及其规格书的更改权，以便为客户提供更优秀的产品，规格若有更改，恕不另行通知。

Ø 双宜科技一直致力于提高产品的质量和可靠性，然而，任何半导体产品在特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，客户有责任在使用双宜产品进行产品研发时，严格按照对应规格书的要求使用双宜产品，并在进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险造成人身伤害或财产损失等情况。如果因为客户不当使用双宜产品而造成的人身伤害、财产损失等情况，双宜公司不承担任何责任。

Ø 本产品主要应用于消费类电子产品中，如果客户将本产品应用于医疗、军事、航天等要求极高

质量、极高可靠性的领域的产品中，其潜在失败风险所造成的人身伤害、财产损失等情况，双宜科技不承担任何责任。

Ø 本规格书所包含的信息仅作为双宜产品的应用指南，没有任何专利和知识产权的许可暗示，如

果客户侵犯了第三方的专利和知识产权，双宜科技不承担任何责任。

关于我们：

深圳市双宜科技有限公司是一家专业从事中低压场效应管、模拟集成电路芯片产品的研制、开发和销售的高新技术企业，自公司2012年成立以来,我们拥有了广大的客户群，本公司主要经营中低压场效应管，MCU设计，电源管理IC，LED驱动IC，触摸控制IC等。公司秉承坚持 " 服务第一，品质第一，客户第一 " 的原则为广大客户提供优质的服务。

客户服务中心：

深圳市双宜科技有限公司电话：0755-27863192

手机：13823527686

网址：双击打开网址了解更多详情

www.ledfangan.com