SYKJ4406A_SOP8_N_耐压30V_电流13.0A_VGS±20V

• Green Device Available

• Super Low Gate Charge

• Excellent CdV/dt effect decline

• Advanced high cell density Trench technology

   

  Description

  The SYKJ4406A is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications.

  The SYKJ4406A meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

  Product Summary

   

  BVDSS	RDSON	ID
  30V	8.5 mΩ	13 A

   

  SOP8 Pin Configuration

   

   

  Absolute Maximum Ratings

   

  Symbol	Parameter	Rating	Units
  VDS	Drain-Source Voltage	30	V
  VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
  ID@TA=25℃	Continuous Drain Current, VGS @ 10V1	13	A
  ID@TA=70℃	Continuous Drain Current, VGS @ 10V1	7.6	A
  IDM	Pulsed Drain Current2	55	A
  EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	33	mJ
  IAS	Avalanche Current	20	A
  PD@TA=25℃	Total Power Dissipation4	5	W
  TSTG	Storage Temperature Range	-55 to 150	℃
  TJ	Operating Junction Temperature Range	-55 to 150	℃

   

  Thermal Data

   

  Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Unit
  RθJA	Thermal Resistance Junction-ambient 1	---	85	℃/W
  RθJC	Thermal Resistance Junction-Case1	---	25	℃/W

   

  Electrical Characteristics (TJ=25℃ unless otherwise specified)

   

  Symbol	Parameter	Test Condition	Min.	Typ.	Max.	Units
  Off Characteristic
  V(BR)DSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250μA	30	-	-	V
  IDSS	Zero Gate Voltage Drain Current	VDS=30V, VGS=0V,	-	-	1.0	μA
  IGSS	Gate to Body Leakage Current	VDS=0V, VGS=±20V	-	-	±100	nA
  On Characteristics
  VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VDS=VGS, ID=250μA	1.0	1.5	2.5	V
  RDS(on)	Static Drain-Source on-Resistance note3	VGS=10V, ID=13A	-	8.8	12	mΩ
  		VGS=4.5V, ID=10A	-	13	18
  Dynamic Characteristics
  Ciss	Input Capacitance	VDS=15V, VGS=0V, f=1.0MHz	-	1011	-	pF
  Coss	Output Capacitance		-	142	-	pF
  Crss	Reverse Transfer Capacitance		-	119	-	pF
  Qg	Total Gate Charge	VDS=15V, ID=6A, VGS=10V	-	19	-	nC
  Qgs	Gate-Source Charge		-	6.3	-	nC
  Qgd	Gate-Drain(“Miller”) Charge		-	4.5	-	nC
  Switching Characteristics
  td(on)	Turn-on Delay Time	VDS=15V, ID=13A, RGEN=3Ω, VGS=10V	-	6	-	ns
  tr	Turn-on Rise Time		-	5	-	ns
  td(off)	Turn-off Delay Time		-	25	-	ns
  tf	Turn-off Fall Time		-	7	-	ns
  Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
  IS	Maximum Continuous Drain to Source Diode Forward Current		-	-	13	A
  ISM	Maximum Pulsed Drain to Source Diode Forward Current		-	-	52	A
  VSD	Drain to Source Diode Forward Voltage	VGS=0V, IS=13A	-	-	1.2	V
  trr	Body Diode Reverse Recovery Time	IF=13A,dI/dt=100A/μs	-	7	-	ns
  Qrr	Body Diode Reverse Recovery Charge		-	6.3	-	nC

  Notes:1. Repetitive Rating: Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature

  1. EAS condition: TJ=25℃, VGS=15V, RG=25Ω, L=0.5mH, IAS=11.5A

  2. Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤0.5%

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声明：

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