SYKJ3400B_SOT23_N_耐压30V_电流4.5A_VGS±12V
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Product Summary
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Green Device Available
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Super Low Gate Charge
BVDSS
RDSON
ID
30V
32mΩ
4.5A
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Excellent Cdv/dt effect decline
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Advanced high cell density Trench technology
Description
SOT23 Pin Configuration
The SYKJ3400B is the high cell density trenched N-ch MOSFETs， which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. The SYKJ3400B meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Rating
Units
VDS
Drain-Source Voltage
30
V
VGS
Gate-Source Voltage
±12
V
ID@TA=25℃
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V1
4.5
A
ID@TA=70℃
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V1
2.8
A
IDM
Pulsed Drain Current2
16.4
A
PD@TA=25℃
Total Power Dissipation3
1.1
W
TSTG
Storage Temperature Range
-55 to 150
℃
TJ
Operating Junction Temperature Range
-55 to 150
℃
Thermal Data
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
RθJA
Thermal Resistance Junction-ambient 1
---
113
℃/W
RθJC
Thermal Resistance Junction-Case1
---
---
℃/W
Electrical Characteristics (TJ=25℃ unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristic
V(BR)DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS=0V, ID=250μA
30
-
-
V
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS=30V, VGS=0V,
-
-
1.0
μA
IGSS
Gate to Body Leakage Current
VDS=0V, VGS= ±12V
-
-
±100
nA
On Characteristics
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS, ID=250μA
0.5
0.9
1.4
V
RDS(on)
Static Drain-Source on-Resistance
note2
VGS=10V, ID=4A
-
32
42
mΩ
VGS=4.5V, ID=3A
-
36
48
VGS=2.5V, ID=2A
-
50
70
Dynamic Characteristics
Ciss
Input Capacitance
VDS=15V, VGS=0V, f=1.0MHz
-
285
-
pF
Coss
Output Capacitance
-
33
-
pF
Crss
Reverse Transfer Capacitance
-
27
-
pF
Qg
Total Gate Charge
VDS=15V, ID=4A, VGS=4.5V
-
2.6
-
nC
Qgs
Gate-Source Charge
-
0.6
-
nC
Qgd
Gate-Drain(“Miller”) Charge
-
0.9
-
nC
Switching Characteristics
td(on)
Turn-on Delay Time
VDS=15V,
ID=2A, RGEN=3Ω, VGS=4.5V
-
15
-
ns
tr
Turn-on Rise Time
-
42
-
ns
td(off)
Turn-off Delay Time
-
16
-
ns
tf
Turn-off Fall Time
-
10
-
ns
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
IS
Maximum Continuous Drain to Source Diode Forward
Current
-
-
4.5
A
ISM
Maximum Pulsed Drain to Source Diode Forward Current
-
-
16
A
VSD
Drain to Source Diode Forward
Voltage
VGS=0V, IS=4A
-
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1.2
V
Notes:1. Repetitive Rating: Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
2. Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤0.5%
Typical Performance Characteristics
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类目：N沟道 MOSFET
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品牌双宜科技（SYKJ）
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封装SOT-23
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耐压VDS (+V)30
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VGS(V)±12
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Vth typ.(V)1.2
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电流ID(A)4.5
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