SYKJ2318_SOT23_N_耐压40V_电流5.0A_VGS±20V
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SYKJ2318_SOT23_N_耐压40V_电流5.0A_VGS±20V
Product Summary
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Green Device Available
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Super Low Gate Charge
BVDSS
RDSON
ID
40V
30.0 mΩ
5 A
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Excellent CdV/dt effect decline
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Advanced high cell density Trench technology
Description
SOT 23 Pin Configurations
The SYKJ2318 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON
and gate charge for most of the synchronous buck converter applications.
The SYKJ2318 meet the RoHS and Green Product requirement，100% EAS guaranteed with full function reliability approved.
Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Max.
Units
VDSS
Drain-Source Voltage
40
V
VGSS
Gate-Source Voltage
±20
V
ID
Continuous Drain Current
TA = 25℃
5
A
TA = 100℃
3
A
IDM
Pulsed Drain Current note1
20
A
PD
Power Dissipation
TA = 25℃
1.6
W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
78
℃/W
TJ, TSTG
Operating and Storage Temperature Range
-55 to +150
℃
Electrical Characteristics (TJ=25℃ unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristic
V(BR)DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS=0V, ID=250μA
40
-
-
V
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS =40V, VGS=0V,
-
-
1.0
μA
IGSS
Gate to Body Leakage Current
VDS=0V, VGS= ±20V
-
-
±100
nA
On Characteristics
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS, ID=250μA
1.0
1.5
2.2
V
RDS(on)
Static Drain-Source on-Resistance
note3
VGS=10V, ID=4A
-
30
40
mΩ
VGS=4.5V, ID=3A
-
40
60
Dynamic Characteristics
Ciss
Input Capacitance
VDS=20V, VGS=0V, f=1.0MHz
-
435
-
pF
Coss
Output Capacitance
-
58
-
pF
Crss
Reverse Transfer Capacitance
-
35
-
pF
Qg
Total Gate Charge
VDS=20V, ID=3A, VGS=10V
-
11
-
nC
Qgs
Gate-Source Charge
-
2
-
nC
Qgd
Gate-Drain(“Miller”) Charge
-
2.5
-
nC
Switching Characteristics
td(on)
Turn-on Delay Time
V DD=20V, ID=4A, RL=1Ω, RGEN=3Ω, VGS=10V
-
10
-
ns
tr
Turn-on Rise Time
-
8
-
ns
td(off)
Turn-off Delay Time
-
29
-
ns
tf
Turn-off Fall Time
-
12
-
ns
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
IS
Maximum Continuous Drain to Source Diode Forward
Current
-
-
5
A
ISM
Maximum Pulsed Drain to Source Diode Forward Current
-
-
20
A
VSD
Drain to Source Diode Forward
Voltage
VGS=0V, IS=5A
-
-
1.2
V
trr
Body Diode Reverse Recovery Time
TJ=25℃,
IF=5A,dI/dt=100A/μs
-
20
-
ns
Qrr
Body Diode Reverse Recovery
Charge
-
11
-
nC
Notes:1. Repetitive Rating: Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
2. Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤0.5%
SOT23 Mechanical Data
DIMENSIONS ( unit : mm )
Symbol
Min
Typ
Max
Symbol
Min
Typ
Max
A
0.90
1.01
1.15
A1
0.01
0.05
0.10
bp
0.30
0.42
0.50
c
0.08
0.13
0.15
D
2.80
2.92
3.00
E
1.20
1.33
1.40
e
--
1.90
--
e1
--
0.95
--
HE
2.25
2.40
2.55
Lp
0.30
0.42
0.50
Q
0.45
0.49
0.55
v
--
0.20
--
w
--
0.10
--
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类目：N沟道 MOSFET
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品牌双宜科技（SYKJ）
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封装SOT-23
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耐压VDS (+V)40
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Vth typ.(V)1.5
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VGS(V)+20
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电流ID(A)5.0
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