SYKJ50N06_TO252_N_耐压60V_电流50.0A_VGS±20V

• 100% EAS Guaranteed

• Green Device Available

• Super Low Gate Charge

• Excellent CdV/dt effect decline

• Advanced high cell density Trench technology

   

  Product Summary

   

  BVDSS	RDSON	ID
  60V	11mΩ	50A

   

  Description TO252 Pin Configuration

   

  The SYKJS50N06 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications.

  The SYKJS50N06 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

   

  Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified)

   

  Symbol	Parameter		Max.	Units
  VDSS	Drain-Source Voltage		60	V
  VGSS	Gate-Source Voltage		±20	V
  ID	Continuous Drain Current	TC = 25℃	45	A
  		TC = 100℃	29	A
  IDM	Pulsed Drain Current note1		180	A
  EAS	Single Pulsed Avalanche Energy note2		36	mJ
  PD	Power Dissipation	TC = 25℃	60	W
  RθJC	Thermal Resistance, Junction to Case		2.5	℃/W
  TJ, TSTG	Operating and Storage Temperature Range		-55 to +175	℃

   

  Electrical Characteristics (TJ=25℃ unless otherwise specified)

   

  Symbol	Parameter	Test Condition	Min.	Typ.	Max.	Units
  Off Characteristic
  V(BR)DSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250μA	60	-	-	V
  IDSS	Zero Gate Voltage Drain Current	VDS=60V, VGS=0V,	-	-	1.0	μA
  IGSS	Gate to Body Leakage Current	VDS=0V, VGS= ±20V	-	-	±100	nA
  On Characteristics
  VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VDS=VGS, ID=250μA	1.0	1.6	2.5	V
  RDS(on)	Static Drain-Source on-Resistance note3	VGS=10V, ID=20A	-	11	14	mΩ
  		VGS=4.5V, ID=10A	-	14	20
  Dynamic Characteristics
  Ciss	Input Capacitance	VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz	-	930	-	pF
  Coss	Output Capacitance		-	230	-	pF
  Crss	Reverse Transfer Capacitance		-	8	-	pF
  Qg	Total Gate Charge	VDS=30V, ID=20A, VGS=10V	-	22	-	nC
  Qgs	Gate-Source Charge		-	4.5	-	nC
  Qgd	Gate-Drain(“Miller”) Charge		-	3.5	-	nC
  Switching Characteristics
  td(on)	Turn-on Delay Time	V DD=30V, ID=20A, RG=1.6Ω, VGS=10V	-	4.5	-	ns
  tr	Turn-on Rise Time		-	2.7	-	ns
  td(off)	Turn-off Delay Time		-	13.8	-	ns
  tf	Turn-off Fall Time		-	2.7	-	ns
  Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
  IS	Maximum Continuous Drain to Source Diode Forward Current		-	-	45	A
  ISM	Maximum Pulsed Drain to Source Diode Forward Current		-	-	180	A
  VSD	Drain to Source Diode Forward Voltage	VGS=0V, IS=30A	-	-	1.2	V
  trr	Body Diode Reverse Recovery Time	TJ=25℃, IF=20A,dI/dt=100A/μs	-	18	-	ns
  Qrr	Body Diode Reverse Recovery Charge		-	12	-	nC

  Notes:1. Repetitive Rating: Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature

  1. EAS condition: TJ=25℃, VDD=30V, VG=10V, RG=25Ω, L=0.5mH, IAS=12A

  2. Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤0.5%

声明：

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Ø 双宜科技一直致力于提高产品的质量和可靠性，然而，任何半导体产品在特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，客户有责任在使用双宜产品进行产品研发时，严格按照对应规格书的要求使用双宜产品，并在进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险造成人身伤害或财产损失等情况。如果因为客户不当使用双宜产品而造成的人身伤害、财产损失等情况，双宜公司不承担任何责任。

Ø 本产品主要应用于消费类电子产品中，如果客户将本产品应用于医疗、军事、航天等要求极高

质量、极高可靠性的领域的产品中，其潜在失败风险所造成的人身伤害、财产损失等情况，双宜科技不承担任何责任。

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