SYKJ6946_SOP8_双N_耐压60V_电流6.0A_VGS±20V

Product Summary

• Green Device Available

  BVDSS	RDSON	ID
  60V	28mΩ	6.0A

   

• Super Low Gate Charge

• Excellent CdV/dt effect decline

• Advanced high cell density Trench technology

   

  Description

   

  The SYKJ6946 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON

  and gate charge for most of the synchronous buck converter applications.

  The SYKJ6946 meet the RoHS and Green Product

   

  Absolute Maximum Ratings

   

   

  Symbol	Parameter	Rating	Units
  VDS	Drain-Source Voltage	60	V
  VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
  ID@TA=25℃	Continuous Drain Current, VGS @ 10V1	6.0	A
  ID@TA=70℃	Continuous Drain Current, VGS @ 10V1	4.5	A
  IDM	Pulsed Drain Current2	22	A
  EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	22	mJ
  IAS	Avalanche Current	23	A
  PD@TA=25℃	Total Power Dissipation4	1.5	W
  TSTG	Storage Temperature Range	-55 to 150	℃
  TJ	Operating Junction Temperature Range	-55 to 150	℃

   

   

  Thermal Data

   

   

  Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Unit
  RθJA	Thermal Resistance Junction-ambient 1	---	85	℃/W
  RθJC	Thermal Resistance Junction-Case1	---	25	℃/W

  Electrical Characteristics (TJ=25℃ unless otherwise specified)

   

  Symbol	Parameter	Test Condition	Min.	Typ.	Max.	Units
  Off Characteristic
  V(BR)DSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250μA	60	-	-	V
  IDSS	Zero Gate Voltage Drain Current	VDS=60V, VGS = 0V,	-	-	1.0	μA
  IGSS	Gate to Body Leakage Current	VDS=0V, VGS = ±20V	-	-	±100	nA
  On Characteristics
  VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VDS=VGS, ID=250μA	1.0	1.6	2.5	V
  RDS(on)	Static Drain-Source on-Resistance note3	VGS=10V, ID=5A	-	28	40	mΩ
  		VGS=4.5V, ID=3A	-	36	50
  Dynamic Characteristics
  Ciss	Input Capacitance	VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz	-	1148	-	pF
  Coss	Output Capacitance		-	58.5	-	pF
  Crss	Reverse Transfer Capacitance		-	49.4	-	pF
  Qg	Total Gate Charge	VDS=30V, ID=2.5A, VGS=10V	-	20.3	-	nC
  Qgs	Gate-Source Charge		-	3.7	-	nC
  Qgd	Gate-Drain(“Miller”) Charge		-	5.3	-	nC
  Switching Characteristics
  td(on)	Turn-on Delay Time	VDS=30V, ID=5A, RG=1.8Ω, VGS=10V	-	7.6	-	ns
  tr	Turn-on Rise Time		-	20	-	ns
  td(off)	Turn-off Delay Time		-	15	-	ns
  tf	Turn-off Fall Time		-	24	-	ns
  Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
  IS	Maximum Continuous Drain to Source Diode Forward Current		-	-	5	A
  ISM	Maximum Pulsed Drain to Source Diode Forward Current		-	-	20	A
  VSD	Drain to Source Diode Forward Voltage	VGS=0V, IS=5A	-	-	1.2	V
  trr	Body Diode Reverse Recovery Time	IF=5A, dI/dt=100A/μs	-	29	-	ns
  Qrr	Body Diode Reverse Recovery Charge		-	43	-	nC

  Notes:1. Repetitive Rating: Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature

  1. EAS condition : TJ=25℃,VDD=30V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω,IAS=8.7A

  2. Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤0.5%

SOP-8 Package Information

声明：

双宜科技保留电路及其规格书的更改权，以便为客户提供更优秀的产品，规格若有更改，恕不另行通知。

Ø 双宜科技一直致力于提高产品的质量和可靠性，然而，任何半导体产品在特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，客户有责任在使用双宜产品进行产品研发时，严格按照对应规格书的要求使用双宜产品，并在进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险造成人身伤害或财产损失等情况。如果因为客户不当使用双宜产品而造成的人身伤害、财产损失等情况，双宜公司不承担任何责任。

Ø 本产品主要应用于消费类电子产品中，如果客户将本产品应用于医疗、军事、航天等要求极高

质量、极高可靠性的领域的产品中，其潜在失败风险所造成的人身伤害、财产损失等情况，双宜科技不承担任何责任。

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果客户侵犯了第三方的专利和知识产权，双宜科技不承担任何责任。

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