SYKJ8810_TSSOP8_双N_耐压20V_电流7.0A_VGS±10V
-
SYKJ8810
« Green Device Available
« Super Low Gate Charge
« Excellent Cdv/dt effect decline
« Advanced high cell density Trench technology
The SYKJ8810 is the low RDSON trenched N- CH MOSFE Ts with robust ESD protection.
This product is suitable for Lithium-ion battery pack applications.
The SYKJ8810 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability
approved.
Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified)
SYKJ8810_EN_V01
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Symbol
Parameter
Max.
Units
VDSS
Drain-Source Voltage
20
V
VGSS
Gate-Source Voltage
±10
V
ID
Continuous Drain Current
TA = 25℃
7.0
A
TA = 100℃
4.1
A
IDM
Pulsed Drain Current note1
19
A
PD
Power Dissipation
TA = 25℃
0.83
W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
151
℃/W
TJ, TSTG
Operating and Storage Temperature Range
-55 to +150
℃
Description
TSSOP8 Pin Configuration
BVDSS
RDSON
ID
20V
13.5 mΩ
7A
Product Summary
SYKJ8810
Electrical Characteristics (TJ=25℃ unless otherwise specified)
Notes:1. Repetitive Rating: Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
2. Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤0.5%
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Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristic
V(BR)DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS=0V, ID=250μA
20
-
-
V
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS=20V, VGS=0V,
-
-
1
μA
IGSS
Gate to Body Leakage Current
VDS=0V, VGS= ±10V
-
-
±10
uA
On Characteristics
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS, ID=250μA
0.4
0.7
1
V
RDS(on)
Static Drain-Source on-Resistance
note2
VGS=4.5V, ID=4A
-
13.5
18
mΩ
VGS=2.5V, ID=3A
-
21
30
Dynamic Characteristics
Ciss
Input Capacitance
VDS=10V, VGS=0V, f=1.0MHz
-
545
-
pF
Coss
Output Capacitance
-
103
-
pF
Crss
Reverse Transfer Capacitance
-
90
-
pF
Qg
Total Gate Charge
VDS=10V, ID=4.8A, VGS=4.5V
-
8
-
nC
Qgs
Gate-Source Charge
-
2.5
-
nC
Qgd
Gate-Drain(“Miller”) Charge
-
3
-
nC
Switching Characteristics
td(on)
Turn-on Delay Time
VDS=10V,RL=1.5Ω, RGEN=3Ω, VGS=5V
-
0.5
-
ns
tr
Turn-on Rise Time
-
1
-
ns
td(off)
Turn-off Delay Time
-
12
-
ns
tf
Turn-off Fall Time
-
4
-
ns
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
IS
Maximum Continuous Drain to Source Diode Forward Current
-
-
7.0
A
ISM
Maximum Pulsed Drain to Source Diode Forward Current
-
-
19
A
VSD
Drain to Source Diode Forward Voltage
VGS=0V, IS=4.8A
-
-
1.2
V
SYKJ8810
ypical Performance Characteristics
Figure 2: Typical Transfer Characteristics
ID (A)
Figure1: Output Characteristics
ID (A)
25
25
20
20
15
15
10
10
5
5
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Figure 3:On-resistance vs. Drain Current
RDS(ON) (mΩ)
Figure 4: Body Diode Characteristics
IS(A)
35
1E+01
30
1E+00
25
1E-01
1E-02
20
1E-03
15
10
1E-04
5
1E-05
0
2
4
6
8
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Figure 5: Gate Charge Characteristics
VGS (V)
Figure 6: Capacitance Characteristics
C(pF)
4.5
104
3.6
103
2.7
1.8
102
0.9
0
1
10 0
0
2
4
6
8
4
8
12
16
20
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Ciss
Coss
Crss
VDS(V)
VGS =4.5V ID=4.8A
Qg(nC)
TJ=125℃
25℃
VSD(V)
VGS=2.5V
VGS=4.5V
ID(A)
TJ=125℃
25℃
VGS(V)
4.5V
2.5V
3V
2V
VGS=1V
VDS (V)
SYKJ8810
Figure 7: Normalized Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
VBR(DSS)
Figure 8: Normalized on Resistance vs. Junction Temperature
RDS(on)
1.3
2.5
1.2
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
0.5
0
-100
-50
0
50
100
150
200
-100
-50
0
50
100
150
200
Figure 10: Maximum Continuous Drain Current vs. Ambient Temperature
ID(A)
Figure 9: Maximum Safe Operating Area
ID(A)
5.0
102
4.0
101
10μs
3.0
100
100μs
2.0
Limited by R DS(on)
1ms
10-1
10ms
TA=25℃
Single pulse
1.0
100ms
DC
VDS (V)
10-2
0
0.01
0.1
1
10
0
25
50
75
100
125
150
Figure.11: Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
ZthJ-A(℃/W)
103
102
101
D=0.5
t1
D=0.2
D=0.1
t2
100
D=0.05
D=0.02
D=0.01
Notes:
Single pulse
1.Duty factor D=t1/t2
2.Peak TJ=PDM *ZthJC+TA
TP(s)
10-1
10-6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
101
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PDM
TA (℃)
Tj (℃)
Tj (℃)
SYKJ8810
Test Circuit
Figure1:Gate Charge Test Circuit & Waveform
Figure 2: Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Figure 3:Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
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声明：
双宜科技保留电路及其规格书的更改权，以便为客户提供更优秀的产品，规格若有更改，恕不另行通知。
Ø
双宜科技一直致力于提高产品的质量和可靠性，然而，任何半导体产品在特定条件下都有一定
的失效或发生故障的可能，客户有责任在使用双宜产品进行产品研发时，严格按照对应规格书的要求使用双宜产品，并在进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险造成人身伤害或财产损失等情况。如果因为客户不当使用双宜产品而造成的人身伤害、财产损失等情况，双宜公司不承担任何责任。
Ø
本产品主要应用于消费类电子产品中，如果客户将本产品应用于医疗、军事、航天等要求极高
质量、极高可靠性的领域的产品中，其潜在失败风险所造成的人身伤害、财产损失等情况，双宜科技不承担任何责任。
Ø
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果客户侵犯了第三方的专利和知识产权，双宜科技不承担任何责任。
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