SYKJ2300A_SOT23_N_耐压20V_电流6.0A_VGS±12V
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SYKJ2300A
« Green Device Available
« Super Low Gate Charge
« Excellent Cdv/dt effect decline
« Advanced high cell density Trench technology
The SYKJ2300A is the high cell density trenched N-ch MOSFETs， which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. The SYKJ2300A meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.
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Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
RθJA
Thermal Resistance Junction-ambient 1
---
125
℃/W
RθJC
Thermal Resistance Junction-Case1
---
80
℃/W
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rating
Units
VDS
Drain-Source Voltage
20
V
VGS
Gate-Source Voltage
±12
V
ID@TA=25℃
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V1
6.0
A
ID@TA=70℃
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V1
4.0
A
IDM
Pulsed Drain Current2
15.0
A
PD@TA=25℃
Total Power Dissipation3
1
W
TSTG
Storage Temperature Range
-55 to 150
℃
TJ
Operating Junction Temperature Range
-55 to 150
℃
Absolute Maximum Ratings
Description
SOT23 Pin Configuration
BVDSS
RDSON
ID
20V
19mΩ
6.0A
Product Summary
SYKJ2300A
Note :
1.The data tested by surface mounted on a 1 inch2 FR-4 board with 2OZ copper. 2.The data tested by pulsed , pulse width ≦ 300us , duty cycle ≦ 2%
3. The power dissipation is limited by 150℃ junction temperature
4. The data is theoretically the same as ID and IDM , in real applications , should be limited by total power dissipation.
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Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IS
Continuous Source Current1,4
VG=VD=0V , Force Current
---
---
6.0
A
VSD
Diode Forward Voltage2
VGS=0V , IS=1A , TJ=25℃
---
---
1.2
V
Diode Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
BVDSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS=0V , ID=250uA
20
---
---
V
RDS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance2
VGS=4.5V , ID=3A
---
19
35
m
VGS=2.5V , ID=2A
---
35
60
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VGS=VDS , ID =250uA
0.4
---
1.2
V
IDSS
Drain-Source Leakage Current
VDS=16V , VGS=0V , TJ=25℃
---
---
1
uA
VDS=16V , VGS=0V , TJ=55℃
---
---
5
IGSS
Gate-Source Leakage Current
VGS=±12V , VDS=0V
---
---
±100
nA
gfs
Forward Transconductance
VDS=5V , ID=3A
---
10.5
---
S
Qg
Total Gate Charge (4.5V)
VDS=15V , VGS=4.5V , ID=3A
---
4.6
---
nC
Qgs
Gate-Source Charge
---
0.7
---
Qgd
Gate-Drain Charge
---
1.5
---
Td(on)
Turn-On Delay Time
VDD=10V , VGS=4.5V , RG=3.3 ID=3A
---
1.6
---
ns
Tr
Rise Time
---
42
---
Td(off)
Turn-Off Delay Time
---
14
---
Tf
Fall Time
---
7
---
Ciss
Input Capacitance
VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz
---
310
---
pF
Coss
Output Capacitance
---
49
---
Crss
Reverse Transfer Capacitance
---
35
---
Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
SYKJ2300A
5
4
3
2
1
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD , Source-to-Drain Voltage (V)
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
1
0.6
0.6
0.2
0.2
-50
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
TJ ,Junction Temperature (℃ )
TJ , Junction Temperature (℃)
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Normalized VGS(th)
IS Source Current(A)
Normalized On Resistance
Fig.6 Normalized RDSON vs. TJ
Fig.5 Normalized VGS(th) vs. TJ
Fig.4 Gate-Charge Characteristics
Fig.3 Forward Characteristics of Reverse
TJ=25
℃
TJ=150℃
Fig.2 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Fig.1 Typical Output Characteristics
Typical Characteristics
SYKJ2300A
1000
F=1.0MHz
Ciss
100
Coss
Crss
10
1
5
9
13
17
21
VDS , Drain to Source Voltage (V)
1
DUTY=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
PDM
TON
0.001
SINGLE PULSE
T
D = TON/T
TJpeak = TC + PDM x RθJC
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
VDS
90%
10%
VGS
T
T
T
T
d(on)
r
d(off)
f
Ton
Toff
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Capacitance (pF)
Normalized Thermal Response (R θJA)
Fig.11 Gate Charge Waveform
Fig.10 Switching Time Waveform
Fig.9 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Fig.7 Capacitance
Fig.8 Safe Operating Area
SOT23 Mechanical Data
SYKJ2300A
SOT23 Mechanical Data
DIMENSIONS ( unit : mm )
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Symbol
Min
Typ
Max
Symbol
Min
Typ
Max
A
0.90
1.01
1.15
A1
0.01
0.05
0.10
bp
0.30
0.42
0.50
c
0.08
0.13
0.15
D
2.80
2.92
3.00
E
1.20
1.33
1.40
e
--
1.90
--
e1
--
0.95
--
HE
2.25
2.40
2.55
Lp
0.30
0.42
0.50
Q
0.45
0.49
0.55
v
--
0.20
--
w
--
0.10
--
声明：
双宜科技保留电路及其规格书的更改权，以便为客户提供更优秀的产品，规格若有更改，恕不另行通知。
Ø
双宜科技一直致力于提高产品的质量和可靠性，然而，任何半导体产品在特定条件下都有一定
的失效或发生故障的可能，客户有责任在使用双宜产品进行产品研发时，严格按照对应规格书的要求使用双宜产品，并在进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险造成人身伤害或财产损失等情况。如果因为客户不当使用双宜产品而造成的人身伤害、财产损失等情况，双宜公司不承担任何责任。
Ø
本产品主要应用于消费类电子产品中，如果客户将本产品应用于医疗、军事、航天等要求极高
质量、极高可靠性的领域的产品中，其潜在失败风险所造成的人身伤害、财产损失等情况，双宜科技不承担任何责任。
Ø
本规格书所包含的信息仅作为双宜产品的应用指南，没有任何专利和知识产权的许可暗示，如
果客户侵犯了第三方的专利和知识产权，双宜科技不承担任何责任。
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深圳市双宜科技有限公司是一家专业从事中低压场效应管、模拟集成电路芯片产品的研制、开发和销售的高新技术企业，自公司2012年成立以来,我们拥有了广大的客户群，本公司主要经营中低压场效应管，MCU设计，电源管理IC，LED驱动IC，触摸控制IC等。公司秉承坚持 " 服务第一，品质第一，客户第一 " 的原则为广大客户提供优质的服务。
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